碳化硼（B₄C）在半導體產業的應用
1. 超精密研磨拋光磨料粉
- 用於單晶矽晶片切割、背面減薄和精細拋光的研磨漿料；亞表面損傷小，材料去除率高，無重金屬污染。
- 用於 SiC/GaN 功率半導體基板（IGBT、MOSFET、射頻晶片）的拋光介質，是硬寬帶隙晶體平坦化的理想選擇。
- 用於先進DRAM製造中硼摻雜多晶矽硬掩模的CMP磨料，對氧化物/氮化物停止層具有高選擇性。
- 研磨膏、鑽石砂輪修整器、用於晶片切割的自由磨料。
2. 用於離子注入的固體硼源
高純度B₄C可用作離子注入機的固體硼源，用於產生B⁺離子，從而對矽片進行P型摻雜，這對於電晶體、記憶體和邏輯晶片至關重要。本產品在高溫下穩定，並能維持穩定的摻雜劑量。
3. 用於蝕刻和沈積設備的燒結碳化硼陶瓷零件
具有優異的抗氟/氯等離子體腐蝕性能、低顆粒生成量和長使用壽命：
- 用於ICP/RIE乾蝕機的聚焦環
- 用於PECVD反應室的噴頭/氣體分配板
- 腔室襯裡、隔熱套管、靜電卡盤底座
- 微波/紅外線窗口、耐高溫晶圓載體、直流絕緣插頭
4. 高純度 B₄C 濺鍍靶材
PVD塗層：耐等離子硬掩模薄膜、輻射屏蔽塗層、晶圓夾具上的耐磨保護層。
5. 特殊電子及輻射探測元件
- 工作溫度高於 2000°C 的高溫寬頻隙半導體裝置。
- 用於晶圓退火和外延爐的 B₄C-石墨熱電偶（最高溫度 2300°C）。
- 用於半導體輻射可靠性測試的固態中子探測器晶片。
- 用於離子注入和晶片輻照實驗室的中子屏蔽襯墊。