碳化硼和碳化矽的性能比較。
性能 單位 SiC B4C
密度 g/cm3 3.21 2.51
熔點 °C 2,760 2,450
維氏硬度 2,600 3,000
抗壓強度 MPa 2,200 2,800
楊氏模量 GPa 410 450
斷裂韌性 K IC MPam 1/2 3.2 3.0
電阻率 ohm.m 10 3-104 10-103
熱膨脹係數 10 -6 K -1 4.0 4.6
導熱係數 Wm-1K-1 110 35
耐熱衝擊性 – 良好 較差
使用溫度（空氣中） ° C Max 1,600 500
資料來源：SiC 和 B4C 陶瓷的產品開發，P Feinle、H Knoch，第三屆歐洲工程陶瓷研討會，編輯。FL 萊利，愛思唯爾，1991